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今天有多家媒体报道了中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展，香港《南华早报》称中科院微电子所团队的殷华湘等人研究出了3nm晶体管，相当于人类DNA链条宽度，这种晶体管解决了玻尔兹曼热力学的限制。
在中国半导体芯片正在被美国卡脖子的今天，国内科研人员实现3nm晶体管技术具有重要意义，南华早报在文章中也提到了该技术的意义——过去我们只能看着别人竞赛，现在可以参与这场竞赛了。
不过这个技术具体如何呢？找了下，南华早报的新闻源是中科院微电子所的通告，官方介绍的内容如下：
现有硅基晶体管受玻尔兹曼热力学限制，室温下亚阈值摆幅SS≥60mV/dec，阻碍了工作电压的继续降低。当集成电路技术进入5纳米及以下节点，随着集成度的持续增加，在维持器件性能的同时面临功耗急剧增加的严重挑战。
先导中心殷华湘研究员的团队在主流后HKMGFinFET集成工艺的基础上，通过材料工艺优化和多栅器件电容匹配设计，结合高质量低界面态的3纳米铪锆金属氧化物薄膜，研制成功性能优异的NC-FinFET器件，实现了SS和阈值电压回滞分别为34.5mV/dec和9mV的纳米栅长NC-FinFET器件，以及SS和阈值电压回滞分别为53mV/dec和40mV的20纳米栅长NC-FinFET器件。
其中，纳米栅长NC-FinFET器件的驱动电流比常规HfO2基FinFET器件（非NC-FinFET）提升了%且电流开关比（Ion/Ioff）大于1x，标志着微电子所在新型NC-FinFET器件的研制方面取得了重要进展。
上述最新研究结果发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEEElectronDeviceLetters》上（DOI:10./LED..），并迅速受到国际多家研发机构的高度
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